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SiC(シリコンカーバイド)およびGaN(ガリウムナイトライド)パワー半導体は、近年のエネルギー効率向上や高出力応用において注目を集めています。これらの半導体材料は、従来のシリコン(Si)ベースのデバイスに代わる選択肢として、特に高電圧や高温・高周波条件での動作が要求される分野で優れた性能を発揮します。本稿では、SiCおよびGaNパワー半導体の定義、特徴、種類、用途、関連技術について詳述いたします。

SiCパワー半導体は、シリコンカーバイドを基盤としたデバイスで、高電圧や高温環境での動作に適しています。SiCのバンドギャップは約3.3電子ボルト(eV)であり、これはシリコンの約3倍です。これにより、SiCデバイスは高い breakdown voltage(耐圧)を持ち、高周波動作においても非常に低いスイッチング損失を実現します。また、耐熱性にも優れており、200℃以上の環境でも安定に動作することができます。

一方、GaNパワー半導体は、ガリウムナイトライドをベースにしたデバイスです。GaNのバンドギャップは約3.4 eVであり、これもまた高い耐圧特性を示します。GaNはその高周波特性に特に優れており、高速スイッチングが可能です。これにより、GaNデバイスは電源変換器や無線通信機器などで省スペース化が進むとともに、エネルギー効率の向上を図ることができます。

SiCおよびGaNパワー半導体には、いくつかの特徴があります。まず、効率性の向上です。これらのデバイスは、エネルギー損失が少なく、より高い電力密度を提供します。次に、高温動作が可能である点です。これにより、冷却装置を小型化し、システム全体のコンパクト化を実現できます。さらに、高い耐圧と耐電撃性を備えるため、より強力な電源やモーター制御が可能になります。

種類としては、SiCおよびGaNそれぞれに複数のデバイスタイプがあります。SiCでは、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)やJFET(Junction Field Effect Transistor)、またダイオードとしてはSchottkyダイオードが一般的です。GaNにおいては、一般的にHEMT(High Electron Mobility Transistor)が使用されており、高速スイッチングが可能です。これらのデバイスは、さまざまな応用において性能を最大限に引き出すために最適化されています。

用途についてですが、SiCおよびGaNパワー半導体は、さまざまな分野で導入されています。例えば、電気自動車(EV)やハイブリッド車(HEV)の充電器やパワートレインに利用されており、これにより高効率な電力変換が実現されています。さらに、再生可能エネルギーシステム、特に太陽光発電や風力発電においても、これらの半導体が重要な役割を果たしています。産業用オートメーションやデータセンターにおける電源ユニットの効率化なども、大きな市場として存在しています。

関連技術としては、製造プロセスに新たな技術が導入されています。特に、SiCの単結晶成長技術やGaNのエピタキシャル成長技術が進化しており、これにより高品質なウエハの製造が可能になりました。また、設計の段階では、シミュレーション技術やモデリング技術の進化も重要です。これにより、デバイス特性や動作条件に応じた最適化が迅速に行えるようになっています。

SiCおよびGaNパワー半導体は、今後もさらなる発展が期待される分野です。特に、エネルギー効率の向上や環境への配慮が求められる現代において、これらの材料は持続可能な技術革新をもたらす可能性を秘めています。エレクトロニクス業界全体としても、これらのデバイスを使用することで、より高効率で小型化された製品の開発が促進されるでしょう。今後の技術革新とともに、SiCおよびGaNパワー半導体の役割はますます重要になっていくと予想されます。


GlobalInfoResearch社の最新調査によると、世界のSiC・GaNパワー半導体市場規模は2024年にxxxx米ドルと評価され、2031年までに年平均xxxx%でxxxx米ドルに成長すると予測されています。

本レポートは、世界のSiC・GaNパワー半導体市場に関する詳細かつ包括的な分析です。メーカー別、地域別・国別、タイプ別、用途別の定量分析および定性分析を行っています。市場は絶え間なく変化しているため、本レポートでは競争、需給動向、多くの市場における需要の変化に影響を与える主な要因を調査しています。選定した競合企業の会社概要と製品例、および選定したいくつかのリーダー企業の2024年までの市場シェア予測を掲載しています。

*** 主な特徴 ***

SiC・GaNパワー半導体の世界市場規模および予測:消費金額(百万ドル)、販売数量、平均販売価格、2019-2031年

SiC・GaNパワー半導体の地域別・国別の市場規模および予測:消費金額(百万ドル)、販売数量、平均販売価格、2019-2031年

SiC・GaNパワー半導体のタイプ別・用途別の市場規模および予測:消費金額(百万ドル)、販売数量、平均販売価格、2019-2031年

SiC・GaNパワー半導体の世界主要メーカーの市場シェア、売上高(百万ドル)、販売数量、平均販売単価、2019-2024年

本レポートの主な目的は以下の通りです:

– 世界および主要国の市場規模を把握する
– SiC・GaNパワー半導体の成長の可能性を分析する
– 各製品と最終用途市場の将来成長を予測する
– 市場に影響を与える競争要因を分析する

本レポートでは、世界のSiC・GaNパワー半導体市場における主要企業を、会社概要、販売数量、売上高、価格、粗利益率、製品ポートフォリオ、地理的プレゼンス、主要動向などのパラメータに基づいて紹介しています。本調査の対象となる主要企業には、Fujitsu Limited、 Infineon Technologies、 Maxim Integrated、 Microchip Technology、 NXP Semiconductors、 ON Semiconductor Corporation、 Renesas Electronics Corporation、 STMicroelectronics、 Texas Instruments、 Toshiba Corporationなどが含まれます。

また、本レポートは市場の促進要因、阻害要因、機会、新製品の発売や承認に関する重要なインサイトを提供します。

*** 市場セグメンテーション

SiC・GaNパワー半導体市場はタイプ別と用途別に区分されます。セグメント間の成長については2019-2031年の期間においてタイプ別と用途別の消費額の正確な計算と予測を数量と金額で提供します。この分析は、適格なニッチ市場をターゲットとすることでビジネスを拡大するのに役立ちます。

[タイプ別市場セグメント]
SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)

[用途別市場セグメント]
IT・通信、航空宇宙・防衛、エネルギー・電力、電子、自動車、医療、その他

[主要プレーヤー]
Fujitsu Limited、 Infineon Technologies、 Maxim Integrated、 Microchip Technology、 NXP Semiconductors、 ON Semiconductor Corporation、 Renesas Electronics Corporation、 STMicroelectronics、 Texas Instruments、 Toshiba Corporation

[地域別市場セグメント]
– 北米(アメリカ、カナダ、メキシコ)
– ヨーロッパ(ドイツ、フランス、イギリス、ロシア、イタリア、その他)
– アジア太平洋(中国、日本、韓国、インド、東南アジア、オーストラリア)
– 南米(ブラジル、アルゼンチン、コロンビア、その他)
– 中東・アフリカ(サウジアラビア、UAE、エジプト、南アフリカ、その他)

※本レポートの内容は、全15章で構成されています。

第1章では、SiC・GaNパワー半導体の製品範囲、市場概要、市場推計の注意点、基準年について説明する。

第2章では、2019年から2024年までのSiC・GaNパワー半導体の価格、販売数量、売上、世界市場シェアとともに、SiC・GaNパワー半導体のトップメーカーのプロフィールを紹介する。

第3章では、SiC・GaNパワー半導体の競争状況、販売数量、売上、トップメーカーの世界市場シェアを景観対比によって強調的に分析する。

第4章では、SiC・GaNパワー半導体の内訳データを地域レベルで示し、2019年から2031年までの地域別の販売数量、消費量、成長を示す。

第5章と第6章では、2019年から2031年まで、タイプ別、用途別に売上高を区分し、タイプ別、用途別の売上高シェアと成長率を示す。

第7章、第8章、第9章、第10章、第11章では、2019年から2024年までの世界の主要国の販売数量、消費量、市場シェアとともに、国レベルでの販売データを分析する。2025年から2031年までのSiC・GaNパワー半導体の市場予測は販売量と売上をベースに地域別、タイプ別、用途別で掲載する。

第12章、市場ダイナミクス、促進要因、阻害要因、トレンド、ポーターズファイブフォース分析。

第13章、SiC・GaNパワー半導体の主要原材料、主要サプライヤー、産業チェーン。

第14章と第15章では、SiC・GaNパワー半導体の販売チャネル、販売代理店、顧客、調査結果と結論について説明する。


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1 市場概要
1.1 製品の概要と範囲
1.2 市場推定と基準年
1.3 タイプ別市場分析
1.3.1 概要:世界のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別消費額:2020年対2024年対2031年
SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)
1.4 用途別市場分析
1.4.1 概要:世界のSiC・GaNパワー半導体の用途別消費額:2020年対2024年対2031年
IT・通信、航空宇宙・防衛、エネルギー・電力、電子、自動車、医療、その他
1.5 世界のSiC・GaNパワー半導体市場規模と予測
1.5.1 世界のSiC・GaNパワー半導体消費額(2020年対2024年対2031年)
1.5.2 世界のSiC・GaNパワー半導体販売数量(2020年-2031年)
1.5.3 世界のSiC・GaNパワー半導体の平均価格(2020年-2031年)

2 メーカープロフィール
※掲載企業リスト:Fujitsu Limited、 Infineon Technologies、 Maxim Integrated、 Microchip Technology、 NXP Semiconductors、 ON Semiconductor Corporation、 Renesas Electronics Corporation、 STMicroelectronics、 Texas Instruments、 Toshiba Corporation
Company A
Company Aの詳細
Company Aの主要事業
Company AのSiC・GaNパワー半導体製品およびサービス
Company AのSiC・GaNパワー半導体の販売数量、平均価格、売上高、粗利益率、市場シェア(2020-2024)
Company Aの最近の動向/最新情報
Company B
Company Bの詳細
Company Bの主要事業
Company BのSiC・GaNパワー半導体製品およびサービス
Company BのSiC・GaNパワー半導体の販売数量、平均価格、売上高、粗利益率、市場シェア(2020-2024)
Company Bの最近の動向/最新情報

3 競争環境:メーカー別SiC・GaNパワー半導体市場分析
3.1 世界のSiC・GaNパワー半導体のメーカー別販売数量(2020-2024)
3.2 世界のSiC・GaNパワー半導体のメーカー別売上高(2020-2024)
3.3 世界のSiC・GaNパワー半導体のメーカー別平均価格(2020-2024)
3.4 市場シェア分析(2024年)
3.4.1 SiC・GaNパワー半導体のメーカー別売上および市場シェア(%):2024年
3.4.2 2024年におけるSiC・GaNパワー半導体メーカー上位3社の市場シェア
3.4.3 2024年におけるSiC・GaNパワー半導体メーカー上位6社の市場シェア
3.5 SiC・GaNパワー半導体市場:全体企業フットプリント分析
3.5.1 SiC・GaNパワー半導体市場:地域別フットプリント
3.5.2 SiC・GaNパワー半導体市場:製品タイプ別フットプリント
3.5.3 SiC・GaNパワー半導体市場:用途別フットプリント
3.6 新規参入企業と参入障壁
3.7 合併、買収、契約、提携

4 地域別消費分析
4.1 世界のSiC・GaNパワー半導体の地域別市場規模
4.1.1 地域別SiC・GaNパワー半導体販売数量(2020年-2031年)
4.1.2 SiC・GaNパワー半導体の地域別消費額(2020年-2031年)
4.1.3 SiC・GaNパワー半導体の地域別平均価格(2020年-2031年)
4.2 北米のSiC・GaNパワー半導体の消費額(2020年-2031年)
4.3 欧州のSiC・GaNパワー半導体の消費額(2020年-2031年)
4.4 アジア太平洋のSiC・GaNパワー半導体の消費額(2020年-2031年)
4.5 南米のSiC・GaNパワー半導体の消費額(2020年-2031年)
4.6 中東・アフリカのSiC・GaNパワー半導体の消費額(2020年-2031年)

5 タイプ別市場セグメント
5.1 世界のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別販売数量(2020年-2031年)
5.2 世界のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別消費額(2020年-2031年)
5.3 世界のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別平均価格(2020年-2031年)

6 用途別市場セグメント
6.1 世界のSiC・GaNパワー半導体の用途別販売数量(2020年-2031年)
6.2 世界のSiC・GaNパワー半導体の用途別消費額(2020年-2031年)
6.3 世界のSiC・GaNパワー半導体の用途別平均価格(2020年-2031年)

7 北米市場
7.1 北米のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別販売数量(2020年-2031年)
7.2 北米のSiC・GaNパワー半導体の用途別販売数量(2020年-2031年)
7.3 北米のSiC・GaNパワー半導体の国別市場規模
7.3.1 北米のSiC・GaNパワー半導体の国別販売数量(2020年-2031年)
7.3.2 北米のSiC・GaNパワー半導体の国別消費額(2020年-2031年)
7.3.3 アメリカの市場規模・予測(2020年-2031年)
7.3.4 カナダの市場規模・予測(2020年-2031年)
7.3.5 メキシコの市場規模・予測(2020年-2031年)

8 欧州市場
8.1 欧州のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別販売数量(2020年-2031年)
8.2 欧州のSiC・GaNパワー半導体の用途別販売数量(2020年-2031年)
8.3 欧州のSiC・GaNパワー半導体の国別市場規模
8.3.1 欧州のSiC・GaNパワー半導体の国別販売数量(2020年-2031年)
8.3.2 欧州のSiC・GaNパワー半導体の国別消費額(2020年-2031年)
8.3.3 ドイツの市場規模・予測(2020年-2031年)
8.3.4 フランスの市場規模・予測(2020年-2031年)
8.3.5 イギリスの市場規模・予測(2020年-2031年)
8.3.6 ロシアの市場規模・予測(2020年-2031年)
8.3.7 イタリアの市場規模・予測(2020年-2031年)

9 アジア太平洋市場
9.1 アジア太平洋のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別販売数量(2020年-2031年)
9.2 アジア太平洋のSiC・GaNパワー半導体の用途別販売数量(2020年-2031年)
9.3 アジア太平洋のSiC・GaNパワー半導体の地域別市場規模
9.3.1 アジア太平洋のSiC・GaNパワー半導体の地域別販売数量(2020年-2031年)
9.3.2 アジア太平洋のSiC・GaNパワー半導体の地域別消費額(2020年-2031年)
9.3.3 中国の市場規模・予測(2020年-2031年)
9.3.4 日本の市場規模・予測(2020年-2031年)
9.3.5 韓国の市場規模・予測(2020年-2031年)
9.3.6 インドの市場規模・予測(2020年-2031年)
9.3.7 東南アジアの市場規模・予測(2020年-2031年)
9.3.8 オーストラリアの市場規模・予測(2020年-2031年)

10 南米市場
10.1 南米のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別販売数量(2020年-2031年)
10.2 南米のSiC・GaNパワー半導体の用途別販売数量(2020年-2031年)
10.3 南米のSiC・GaNパワー半導体の国別市場規模
10.3.1 南米のSiC・GaNパワー半導体の国別販売数量(2020年-2031年)
10.3.2 南米のSiC・GaNパワー半導体の国別消費額(2020年-2031年)
10.3.3 ブラジルの市場規模・予測(2020年-2031年)
10.3.4 アルゼンチンの市場規模・予測(2020年-2031年)

11 中東・アフリカ市場
11.1 中東・アフリカのSiC・GaNパワー半導体のタイプ別販売数量(2020年-2031年)
11.2 中東・アフリカのSiC・GaNパワー半導体の用途別販売数量(2020年-2031年)
11.3 中東・アフリカのSiC・GaNパワー半導体の国別市場規模
11.3.1 中東・アフリカのSiC・GaNパワー半導体の国別販売数量(2020年-2031年)
11.3.2 中東・アフリカのSiC・GaNパワー半導体の国別消費額(2020年-2031年)
11.3.3 トルコの市場規模・予測(2020年-2031年)
11.3.4 エジプトの市場規模推移と予測(2020年-2031年)
11.3.5 サウジアラビアの市場規模・予測(2020年-2031年)
11.3.6 南アフリカの市場規模・予測(2020年-2031年)

12 市場ダイナミクス
12.1 SiC・GaNパワー半導体の市場促進要因
12.2 SiC・GaNパワー半導体の市場抑制要因
12.3 SiC・GaNパワー半導体の動向分析
12.4 ポーターズファイブフォース分析
12.4.1 新規参入者の脅威
12.4.2 サプライヤーの交渉力
12.4.3 買い手の交渉力
12.4.4 代替品の脅威
12.4.5 競争上のライバル関係

13 原材料と産業チェーン
13.1 SiC・GaNパワー半導体の原材料と主要メーカー
13.2 SiC・GaNパワー半導体の製造コスト比率
13.3 SiC・GaNパワー半導体の製造プロセス
13.4 産業バリューチェーン分析

14 流通チャネル別出荷台数
14.1 販売チャネル
14.1.1 エンドユーザーへの直接販売
14.1.2 代理店
14.2 SiC・GaNパワー半導体の主な流通業者
14.3 SiC・GaNパワー半導体の主な顧客

15 調査結果と結論

16 付録
16.1 調査方法
16.2 調査プロセスとデータソース
16.3 免責事項

*** 表一覧 ***

・世界のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別消費額(百万米ドル、2020年対2024年対2031年)
・世界のSiC・GaNパワー半導体の用途別消費額(百万米ドル、2020年対2024年対2031年)
・世界のSiC・GaNパワー半導体のメーカー別販売数量
・世界のSiC・GaNパワー半導体のメーカー別売上高
・世界のSiC・GaNパワー半導体のメーカー別平均価格
・SiC・GaNパワー半導体におけるメーカーの市場ポジション(ティア1、ティア2、ティア3)
・主要メーカーの本社とSiC・GaNパワー半導体の生産拠点
・SiC・GaNパワー半導体市場:各社の製品タイプフットプリント
・SiC・GaNパワー半導体市場:各社の製品用途フットプリント
・SiC・GaNパワー半導体市場の新規参入企業と参入障壁
・SiC・GaNパワー半導体の合併、買収、契約、提携
・SiC・GaNパワー半導体の地域別販売量(2020-2031)
・SiC・GaNパワー半導体の地域別消費額(2020-2031)
・SiC・GaNパワー半導体の地域別平均価格(2020-2031)
・世界のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別販売量(2020-2031)
・世界のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別消費額(2020-2031)
・世界のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別平均価格(2020-2031)
・世界のSiC・GaNパワー半導体の用途別販売量(2020-2031)
・世界のSiC・GaNパワー半導体の用途別消費額(2020-2031)
・世界のSiC・GaNパワー半導体の用途別平均価格(2020-2031)
・北米のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別販売量(2020-2031)
・北米のSiC・GaNパワー半導体の用途別販売量(2020-2031)
・北米のSiC・GaNパワー半導体の国別販売量(2020-2031)
・北米のSiC・GaNパワー半導体の国別消費額(2020-2031)
・欧州のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別販売量(2020-2031)
・欧州のSiC・GaNパワー半導体の用途別販売量(2020-2031)
・欧州のSiC・GaNパワー半導体の国別販売量(2020-2031)
・欧州のSiC・GaNパワー半導体の国別消費額(2020-2031)
・アジア太平洋のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別販売量(2020-2031)
・アジア太平洋のSiC・GaNパワー半導体の用途別販売量(2020-2031)
・アジア太平洋のSiC・GaNパワー半導体の国別販売量(2020-2031)
・アジア太平洋のSiC・GaNパワー半導体の国別消費額(2020-2031)
・南米のSiC・GaNパワー半導体のタイプ別販売量(2020-2031)
・南米のSiC・GaNパワー半導体の用途別販売量(2020-2031)
・南米のSiC・GaNパワー半導体の国別販売量(2020-2031)
・南米のSiC・GaNパワー半導体の国別消費額(2020-2031)
・中東・アフリカのSiC・GaNパワー半導体のタイプ別販売量(2020-2031)
・中東・アフリカのSiC・GaNパワー半導体の用途別販売量(2020-2031)
・中東・アフリカのSiC・GaNパワー半導体の国別販売量(2020-2031)
・中東・アフリカのSiC・GaNパワー半導体の国別消費額(2020-2031)
・SiC・GaNパワー半導体の原材料
・SiC・GaNパワー半導体原材料の主要メーカー
・SiC・GaNパワー半導体の主な販売業者
・SiC・GaNパワー半導体の主な顧客

*** 図一覧 ***

・SiC・GaNパワー半導体の写真
・グローバルSiC・GaNパワー半導体のタイプ別売上(百万米ドル)
・グローバルSiC・GaNパワー半導体のタイプ別売上シェア、2024年
・グローバルSiC・GaNパワー半導体の用途別消費額(百万米ドル)
・グローバルSiC・GaNパワー半導体の用途別売上シェア、2024年
・グローバルのSiC・GaNパワー半導体の消費額(百万米ドル)
・グローバルSiC・GaNパワー半導体の消費額と予測
・グローバルSiC・GaNパワー半導体の販売量
・グローバルSiC・GaNパワー半導体の価格推移
・グローバルSiC・GaNパワー半導体のメーカー別シェア、2024年
・SiC・GaNパワー半導体メーカー上位3社(売上高)市場シェア、2024年
・SiC・GaNパワー半導体メーカー上位6社(売上高)市場シェア、2024年
・グローバルSiC・GaNパワー半導体の地域別市場シェア
・北米のSiC・GaNパワー半導体の消費額
・欧州のSiC・GaNパワー半導体の消費額
・アジア太平洋のSiC・GaNパワー半導体の消費額
・南米のSiC・GaNパワー半導体の消費額
・中東・アフリカのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・グローバルSiC・GaNパワー半導体のタイプ別市場シェア
・グローバルSiC・GaNパワー半導体のタイプ別平均価格
・グローバルSiC・GaNパワー半導体の用途別市場シェア
・グローバルSiC・GaNパワー半導体の用途別平均価格
・米国のSiC・GaNパワー半導体の消費額
・カナダのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・メキシコのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・ドイツのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・フランスのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・イギリスのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・ロシアのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・イタリアのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・中国のSiC・GaNパワー半導体の消費額
・日本のSiC・GaNパワー半導体の消費額
・韓国のSiC・GaNパワー半導体の消費額
・インドのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・東南アジアのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・オーストラリアのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・ブラジルのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・アルゼンチンのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・トルコのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・エジプトのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・サウジアラビアのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・南アフリカのSiC・GaNパワー半導体の消費額
・SiC・GaNパワー半導体市場の促進要因
・SiC・GaNパワー半導体市場の阻害要因
・SiC・GaNパワー半導体市場の動向
・ポーターズファイブフォース分析
・SiC・GaNパワー半導体の製造コスト構造分析
・SiC・GaNパワー半導体の製造工程分析
・SiC・GaNパワー半導体の産業チェーン
・販売チャネル: エンドユーザーへの直接販売 vs 販売代理店
・直接チャネルの長所と短所
・間接チャネルの長所と短所
・方法論
・調査プロセスとデータソース

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■ 英文タイトル:Global SiC and GaN Power Semiconductor Market 2025
■ レポートの形態:英文PDF
■ レポートコード:GIR24MKT419202
■ 販売会社:H&Iグローバルリサーチ株式会社(東京都中央区)

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